紫光國(guó)芯周一在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺(tái)上回答投資者提問(wèn)時(shí)介紹,DDR4與DDR3相比,單條容量有很大提高,可以實(shí)現(xiàn)較高的容量。另外,頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會(huì)降低工作電壓,有利于更低的功耗。
同時(shí),關(guān)于公司在國(guó)內(nèi)業(yè)界、排名情況,紫光國(guó)芯介紹,公司的DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平,國(guó)內(nèi)稀缺,但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小,市場(chǎng)份額不大。
針對(duì)投資者關(guān)于公司DDR4存儲(chǔ)器芯片相比DDR3優(yōu)勢(shì)的詢問(wèn),紫光國(guó)芯作出上述回應(yīng)。
1月26日紫光國(guó)芯在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶圓的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。
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