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Intel高級院士曝光自家10nm工藝：集成度比優(yōu)于對手

臺積電和三星紛紛量產(chǎn)10nm，而曾經(jīng)作為半導(dǎo)體工藝技術(shù)龍頭的Intel卻動作遲緩，待在14nm上不肯動彈了，10nm目前看最快最快也得2018年下半年。

那么，真的是Intel在技術(shù)上黔驢技窮了?

顯然不是。Intel在最新一期的半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威刊物《IEEE Spectrum》上撰文，暢談了自己的10nm工藝，尤其是在技術(shù)、成本方面的巨大優(yōu)勢。

Intel高級院士Mark Bohr表示，Intel 10nm工藝的晶體管密度不但會超過現(xiàn)在的Intel 14nm，還會優(yōu)于其他公司的10nm，也就是集成度比他們更高，柵極間距將從14nm工藝的70nm縮小到54nm，邏輯單元則縮小46%，這比以往任何一代工藝進化都更激進。

Intel高級院士曝光自家10nm工藝：集成度比優(yōu)于對手

他說：“本代工藝和相關(guān)產(chǎn)品要傳達的一個重要信息，就是希望能夠打消行業(yè)對于摩爾定律將死的憂慮?！?

Intel在技術(shù)上的實力其實根本不用懷疑，那么是不是成本限制了10nm?Mark Bohr也談到了這一點，明確表示Intel 10nm晶圓的整體成本確實會高于14nm，但是平均到每個晶體管上會更低。

和每一代新工藝一樣，10nm也能提高晶體管的運行速度，或者降低能耗，但更重要的顯然是后者。

Mark Bohr表示：“這些新工藝的首要目標(biāo)確實是降低能耗，或者說提高能效，只有這樣才能在服務(wù)器芯片內(nèi)加入更多核心，或者在GPU內(nèi)加入更多執(zhí)行單元，然后才是降低晶體管成本。”

目前，臺積電、GlobalFoundries(AMD)、三星等都在積極籌劃7nm，Intel的似乎還很遙遠。

Mark Bohr對此表示，如果從10nm過渡到7nm會花更長時間，那么最重要的就是想方設(shè)法增強已有技術(shù)，每年帶來新產(chǎn)品。

Intel高級院士曝光自家10nm工藝：集成度比優(yōu)于對手

這似乎意味著，在未來至少五年左右的時間里，Intel仍會堅持當(dāng)前的產(chǎn)品研發(fā)和發(fā)布策略，不會變的太激進。